FLASH概述

Flash内存即Flash Memory,全名叫Flash EEPROM Memory,又名闪存,是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器,数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位,区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种,EEPROM与闪存不同的是,它能在字节水平上进行删除和重写而不是按区块擦写,这样闪存就比EEPROM的更新速度快,所以被称为Flash erase EEPROM,或简称为Flash Memory。由于其断电时仍能保存数据,闪存通常被用来保存设置信息,如在电脑的BIOS(基本输入输出程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。另一方面,闪存不像RAM(随机存取存储器)一样以字节为单位改写数据,因此不能取代RAM。FLASH主要分为NOR和NAND两种。NOR有着较快的数据读取速度,但数据写入速度却很慢。在电子产品中一般作为程序存储器。而NAND虽然数据读取速度比NOR慢,但数据写入速度却比NOR快的多,因此在电子产品中一般作为数据存储器。

同步SRAM特性

  • Single Power Supply Operation
  • Cost Effective Sector/Block Architecture
  • Low standby current 1uA (Typ)
  • Serial Peripheral Interface (SPI) Compatible
  • Page Program (up to 256 Bytes) Operation
  • Sector, Block or Chip Erase Operation
  • Low Power Consumption
  • Hardware/Software Write Protection
  • Industry Standard Pin-out and Packages
  • Superior Endurance: Min 20 years after 100K cycles

 

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