DRAM: Dynamic Random Access Memory,动态随机存储器,最为常见的系统内存。DRAM只能将数据保存很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容储存,所有必须隔一段时间刷新一次,如果储存单元没有被刷新,储存的信息就会丢失。

SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器,同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写。

ISSI是全球领先的DRAM制造商,提供种类齐全,功能优越的DRAM产品,包括DDR3、DDR2 、DDR、SDR EDO&Fast Page Mode、RLDRAM 2/3等DRAM。

SDRAM从发展到现在已经经历了五代,分别是:第一代SDR SDRAM,第二代DDR SDRAM,第三代DDR2 SDRAM,第四代DDR3 SDRAM,第五代,DDR4 SDRAM。第一代SDRAM采用单端(Single-Ended)时钟信号,第二代、第三代与第四代由于工作频率比较快,所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。

  • SDR SDRAM:3.3V供电,速率133/166/200,容量16-512Mbit
  • DDR SDRAM:2.5V供电,速率133/166/200,容量64-512Mbit
  • DDR2 SDRAM:1.8V供电,速率400/533/667/800,容量256Mbit-2Gbit
  • DDR3 SDRAM:1.35/1.5V供电,速率1333/1600/1866/2133,容量1-8Gbit
  • EDO DRAM(Extended Data Output RAM),扩展数据输出内存。
  • FPM DRAM(Fast Page Mode RAM): 快速页面模式内存。是一种在486时期被普遍应用的内存。
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