概述

SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,功耗较小,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM显得更贵。

SRAM主要用于二级高速缓存(Level2 Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。 SRAM的速度快但昂贵,一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存(cache).ISSI的SRAM有许多种,如Asynchronous SRAM、Synchronous SRAM QUAD(P) and DDR-II(P)、SRAM CellularRAM/Pseudo SRAM.

特性

  • 容量最大达256Mbit.
  • 传送速率高达567MHz.
  • 提供高速,低功耗,低供电电压,大容量等.
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