RF功率晶体管LDMOS

LDMOS (横向扩散金属氧化物半导体), 在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求,常用于射频功率电路。与晶体管相比,在关键的器件特性方面,如增益、线性度、开关性能、散热性能以及减少级数等方面优势很明显。LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。

LDMOS能经受住高于双极型晶体管3倍的驻波比,能在较高的反射功率下运行而没有破坏LDMOS设备;它较能承受输入信号的过激励和适合发射射频信号,因为它有高级的瞬时峰值 功率。

恩智浦领先的LDMOS和GaN为您提供射频功率晶体管系列,具有一流的效率、功率和耐用性,涵盖了基站、广播/ISM以及航空与国防应用的所有频率范围。

 

特定ESD特性

RF Energy-ISM
0-500 MHz ISM/XR products
0-1600 MHz / 915 MHz ISM band
2.45 GHz ISM band
基站
0.8 - 1.0 GHz晶体管
1.3-1.7 GHz晶体管
1.8 - 2.0 GHz晶体管
2.0 - 2.2 GHz晶体管
2.3-2.4 GHz LDMOS晶体管
2.5-2.7 GHz LDMOS晶体管
3.5-3.8 GHz LDMOS晶体管
广播/ISM(LDMOS)
UHF广播功率晶体管(470-860 MHz )
10-500 MHz(HF/VHF/ISM)VDMOS
0-1300 MHz(HF/VHF/ISM)高压LDMOS
航空与防务(LDMOS)
航空电子LDMOS晶体管
L-波段LDMOS晶体管
S-波段LDMOS晶体管
RF小信号MOSFET
开关用N-沟道、单闸MOSFET
N-沟道双栅MOSFET

 

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